Як мы ўсе ведаем, вакуумнае выпарэнне і іённае распыленне звычайна выкарыстоўваюцца ў вакуумным пакрыцці.У чым розніца паміж напыленнем і напыленнем?Далей з намі падзеляцца тэхнічныя эксперты RSM.
Вакуумнае нанясенне пакрыцця заключаецца ў награванні матэрыялу, які падлягае выпарэнню, да пэўнай тэмпературы з дапамогай супраціўляльнага нагрэву або электроннага прамяня і лазернай бамбардзіроўкі ў асяроддзі са ступенню вакууму не менш за 10-2 Па, так што энергія цеплавых ваганняў малекул або атамаў у матэрыяле перавышае энергію сувязі паверхні, так што вялікая колькасць малекул або атамаў выпараюцца або сублімуюць і непасрэдна выпадаюць на падкладку з адукацыяй плёнкі.Іоннае распыленне пакрыцця выкарыстоўвае высакахуткасны рух станоўчых іёнаў, якія ўтвараюцца газавым разрадам пад дзеяннем электрычнага поля, для бамбардзіроўкі мішэні ў якасці катода, так што атамы або малекулы мішэні выходзяць і выпадаюць на паверхню пакрытай нарыхтоўкі з адукацыяй неабходны фільм.
Найбольш часта выкарыстоўваным метадам нанясення пакрыццяў з дапамогай вакуумнага выпарэння з'яўляецца супраціўляльны нагрэў, які мае такія перавагі, як простая структура, нізкі кошт і зручнасць эксплуатацыі;Недахопам з'яўляецца тое, што ён не падыходзіць для тугаплаўкіх металаў і дыэлектрычных матэрыялаў, устойлівых да высокіх тэмператур.Электронна-прамянёвы нагрэў і лазерны нагрэў могуць пераадолець недахопы супраціўляльнага нагрэву.Пры награванні электронным пучком сфакусаваны электронны прамень выкарыстоўваецца для непасрэднага нагрэву бамбардзіраванага матэрыялу, а кінэтычная энергія электроннага пучка ператвараецца ў цеплавую энергію, што прымушае матэрыял выпарацца.Лазерны нагрэў выкарыстоўвае лазер высокай магутнасці ў якасці крыніцы нагрэву, але з-за высокага кошту лазера высокай магутнасці ў цяперашні час ён можа быць выкарыстаны толькі ў некалькіх даследчых лабараторыях.
Тэхналогія напылення адрозніваецца ад тэхналогіі вакуумнага выпарвання.«Распыленне» адносіцца да з'явы, пры якой зараджаныя часціцы бамбардуюць цвёрдую паверхню (мішэнь) і прымушаюць атамы або малекулы цвёрдага цела выбівацца з паверхні.Большасць выпраменьваных часціц знаходзяцца ў атамным стане, які часта называюць распыленымі атамамі.Распыленыя часціцы, якія выкарыстоўваюцца для бамбардзіроўкі мішэні, могуць быць электронамі, іёнамі або нейтральнымі часціцамі.Паколькі іёны лёгка паскорыць пад дзеяннем электрычнага поля, каб атрымаць неабходную кінетычную энергію, большасць з іх выкарыстоўвае іёны ў якасці бамбардзіраваных часціц.Працэс распылення заснаваны на тлеючым разрадзе, гэта значыць іёны распылення паходзяць ад газавага разраду.Розныя тэхналогіі распылення выкарыстоўваюць розныя рэжымы тлеючага разраду.Дыеднае напыленне пастаяннага току выкарыстоўвае тлеючы разрад пастаяннага току;Трыяднае распыленне - гэта тлеючы разрад, які падтрымліваецца гарачым катодам;ВЧ-распыленне выкарыстоўвае ВЧ-тлеючы разрад;Магнетроннае распыленне - гэта тлеючы разрад, які кіруецца кальцавым магнітным полем.
У параўнанні з вакуумным напыленнем пакрыццё напыленнем мае шмат пераваг.Напрыклад, любое рэчыва можа быць распылена, асабліва элементы і злучэнні з высокай тэмпературай плаўлення і нізкім ціскам пары;Адгезія паміж напыленай плёнкай і падкладкай добрая;Высокая шчыльнасць плёнкі;Таўшчыню плёнкі можна кантраляваць, а паўтаральнасць добрая.Недахопам з'яўляецца тое, што абсталяванне складанае і патрабуе высакавольтных прылад.
Акрамя таго, спалучэнне метаду выпарвання і метаду распылення - гэта іённае пакрыццё.Перавагамі гэтага метаду з'яўляюцца тое, што атрыманая плёнка валодае моцнай адгезіяй да падкладцы, высокай хуткасцю нанясення і высокай шчыльнасцю плёнкі.
Час публікацыі: 20 ліпеня 2022 г