У цяперашні час фатоніка на аснове крэмнію лічыцца платформай фатонікі наступнага пакалення для ўбудаваных камунікацый.Аднак распрацоўка кампактных і маламагутных аптычных мадулятараў застаецца праблемай.Тут мы паведамляем пра гіганцкі электрааптычны эфект у звязаных квантавых ямах Ge/SiGe.Гэты шматспадзеўны эфект заснаваны на анамальным квантавым эфекце Штарка з-за асобнага ўтрымання электронаў і дзірак у звязаных квантавых ямах Ge/SiGe.Гэта з'ява можа быць выкарыстана для значнага паляпшэння прадукцыйнасці мадулятараў святла ў параўнанні са стандартнымі падыходамі, распрацаванымі да гэтага часу ў крамянёвай фатоніцы.Мы вымералі змены паказчыка праламлення да 2,3 × 10-3 пры напрузе зрушэння 1,5 В з адпаведнай эфектыўнасцю мадуляцыі VπLπ 0,046 Всм.Гэтая дэманстрацыя адкрывае шлях да распрацоўкі эфектыўных высакахуткасных фазавых мадулятараў на аснове матэрыяльных сістэм Ge/SiGe.
Час публікацыі: 6 чэрвеня 2023 г