Вакуумнае пакрыццё адносіцца да награвання і выпарэння крыніцы выпарэння ў вакууме або распылення з паскоранай іённай бамбардзіроўкай і нанясення яго на паверхню падкладкі з адукацыяй аднаслаёвай або шматслаёвай плёнкі.Які прынцып вакуумнага пакрыцця?Далей з гэтым нас пазнаёміць рэдактар РСМ.
1. Пакрыццё вакуумным выпарваннем
Нанясенне пакрыцця выпараннем патрабуе, каб адлегласць паміж малекуламі пары або атамамі ад крыніцы выпарэння і падкладкай, на якую наносіцца пакрыццё, была меншай за сярэднюю даўжыню вольнага прабегу малекул рэшткавага газу ў памяшканні для нанясення пакрыцця, каб малекулы пары наносіліся. выпарэнне можа дасягнуць паверхні падкладкі без сутыкнення.Пераканайцеся, што плёнка чыстая і цвёрдая, і выпарэння не акісляюцца.
2. Вакуумнае напыленне пакрыцця
У вакууме, калі паскораныя іёны сутыкаюцца з цвёрдым целам, з аднаго боку, крышталь пашкоджваецца, з другога боку, яны сутыкаюцца з атамамі, якія складаюць крышталь, і, нарэшце, атамы або малекулы на паверхні цвёрдага цела пырснуць вонкі.Напылены матэрыял наносіцца на падкладку з адукацыяй тонкай плёнкі, якая называецца вакуумным напыленнем.Існуе мноства метадаў напылення, сярод якіх дыёднае напыленне з'яўляецца самым раннім.У залежнасці ад розных катодных мішэняў, яго можна падзяліць на пастаянны ток (DC) і высокачашчынны (RF).Колькасць атамаў, распыленых пры ўздзеянні іёна на паверхню мішэні, называецца хуткасцю распылення.Пры высокай хуткасці распылення хуткасць фарміравання плёнкі высокая.Хуткасць распылення звязана з энергіяй і тыпам іёнаў і тыпам матэрыялу мішэні.Наогул кажучы, хуткасць распылення павялічваецца з павелічэннем энергіі іёнаў чалавека, а хуткасць распылення каштоўных металаў вышэй.
Час публікацыі: 14 ліпеня 2022 г